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高純氯化氫是集成電路生產(chǎn)中硅片蝕刻
高純氯化氫是集成電路生產(chǎn)中硅片蝕刻,鈍化和外延等工藝的重要材料,也可用于金屬冶煉,光導(dǎo)通訊和科學(xué)研究等領(lǐng)域。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,對(duì)氯化氫純度的要求越來越高,對(duì)其中雜質(zhì)的含量要求越來越苛刻,尤其要求嚴(yán)格限制碳?xì)浠衔锖吞佳趸衔锏暮?,以防止硅片加工過程中c的形成。國內(nèi)外對(duì)于制備高純氯化氫的方法有很多。今天跟大家簡(jiǎn)單介紹一下其中的鹽酸脫析法的工藝流程:鹽酸脫析法。將濃鹽酸置于脫析塔中加熱脫析制氯化氫氣體。鹽酸脫吸法制高純氯化氫廣泛應(yīng)用于PVC、氯丁二烯和高純鹽酸等的生產(chǎn)中。此種方法生產(chǎn)的氯化氫氣體純度在99.9% (質(zhì)量分?jǐn)?shù))以上。
其工藝流程為:將濃鹽酸貯槽之濃酸用濃酸泵打至脫吸塔,脫吸塔下部連接再沸器,濃酸自塔頂噴淋而下,與來自再沸器的稀酸蒸氣逆流傳質(zhì)傳熱,使氯化氫脫吸。所得之恒沸酸一部分補(bǔ)充再沸器的循環(huán),一部分則經(jīng)板式冷卻器后流入稀酸貯槽。由脫吸塔出來的含水蒸氣氯化氫氣體,進(jìn)人石墨列管冷卻器用水冷卻后經(jīng)過旋風(fēng)分離器,分離出夾帶酸霧。然后,經(jīng)過一系列的常溫、低溫干燥、吸附除水及二氧化碳,壓縮至1.2MPa,進(jìn)行低溫精餾,再經(jīng)低溫吸附除氮后壓縮至4.2MPa,裝瓶。
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